भाग नम्बर | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
---|---|
निर्माता | Vishay Siliconix |
विवरण | MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 |
ead नि: शुल्क / RoHS स्थितिL | लीड फ्री / RoHS अनुरूप |
स्टकमा 100000+ pcs | |
सन्दर्भ मूल्य
(अमेरिकी डलरमा) |
|
टाइप गर्नुहोस् | विवरण |
---|---|
भाग नम्बर: | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
निर्माता: | Vishay Siliconix |
विवरण: | MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 |
लीड फ्री स्थिति / RoHS स्थिति: | Lead free / RoHS Compliant |
मात्रा उपलब्ध छ: | 0 |
डाटा पाना: | SIHJ10N60E-T1-GE3 PDF |
श्रेणी: | discrete semiconductor products |
फिल्टर गर्नुहोस्: | transistors - fets, mosfets - single |
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 10A (Tc) |
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss): | 600 V |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन): | 10V |
fet सुविधा: | - |
fet प्रकार: | N-Channel |
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs: | 50 nC @ 10 V |
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 784 pF @ 100 V |
माउन्ट प्रकार: | Surface Mount |
सञ्चालन तापमान: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
प्याकेज / केस: | PowerPAK® SO-8 |
शक्ति अपव्यय (अधिकतम): | 89W (Tc) |
उत्पादन स्थिति: | Active |
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs: | 360mOhm @ 5A, 10V |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज: | PowerPAK® SO-8 |
प्रविधि: | MOSFET (Metal Oxide) |
vgs (अधिकतम): | ±30V |
vgs(th) (अधिकतम) @ आईडी: | 4.5V @ 250µA |
अर्डर गर्दा कृपया उत्पादनहरूको विशिष्टताहरू पुष्टि गर्नुहोस्।
MOQ को अर्थ प्रत्येक भागहरू खरिद गर्न आवश्यक न्यूनतम अर्डर मात्रा।
यदि तपाइँसँग विशेष आदेश निर्देशनहरू छन् भने, कृपया यसलाई अर्डर पृष्ठहरूमा नोट गर्नुहोस्।
पूर्व ढुवानी निरीक्षण (PSI) लागू गरिनेछ।
तपाईंले ढुवानी अघि अर्डर विवरणहरू परिवर्तन गर्न हामीलाई इमेल गर्न सक्नुहुन्छ।
प्याकेजहरू ढुवानी गरेपछि अर्डरहरू रद्द गर्न सकिँदैन।
TT अग्रिम (बैंक स्थानान्तरण), क्रेडिट कार्ड, PayPal छनोट गर्न सकिन्छ।
नगद स्थानान्तरण मात्र। (चेक र बिलहरू सहितको स्थानान्तरण स्वीकार गरिएको छैन।)
ग्राहक बिक्री कर, VAT र भन्सार शुल्कहरू, आदि सहित सबै सम्भावित शुल्कहरू तिर्न जिम्मेवार छन्।
यदि तपाईंलाई विस्तृत इनभ्वाइस वा कर आईडी चाहिन्छ भने, कृपया हामीलाई इमेल गर्नुहोस्।